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功率半导体用陶瓷基板热阻测试方法的​主题报告
发布时间:2023-11-30 浏览数:176 分享:

为紧跟国际功率半导体器件技术发展步伐,推动我国新型半导体功率器件技术水平进一步提高,加快其成果转化和应用推广,增强自主创新能力。由中国半导体行业协会半导体分立器件分会主办的“第九届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会”于2023年11月23~25日在广州召开。雅马拓科学受邀参会,并向大会做“功率半导体用陶瓷基板热阻测试 “的主题报告。


报告摘要:


随着新一代功率半导体(SiC、GaN)技术的加速开发,功率半导体向小型化、高效化方向发展,因其拥有更节能、更高功率输出和更高速运行的前景而受到越来越多的期望。下一代功率半导体芯片将提供更高的输出和更高的能量密度,预计在不久的将来,芯片结温将从150℃ 提高到250℃,因此功率半导体的散热技术变得比以往任何时候都更加重要。

雅马拓科学自2016年11月开始联合大阪大学封装研究所开展「新一代功率半导体基板的热特性评价方法」的共同研究,同时推动了该评价方法的ISO国际标准化工作。2023年1月,ISO4825-1标准1正式全球发布。

“基板”是影响功率半导体散热的核心部件,雅马拓科学基于上述共同研究的成果,开发了专门针对陶瓷基板的「热阻测试仪」 以及「TEG芯片」,并同步在日本、中国、美国、欧洲申请了国际专利(专利申请中)。


会议现场:

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以上配图来自“第九届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会”,仅作宣传用途。


[1] ISO 4825-1:2023 国际标准:https://www.iso.org/standard/80379.html


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